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台媒:大陆DRAM技术发展还得求助我们

2017-08-21 09:35 来源:联合报 作者:

中国大陆积极发展记忆体产业,但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线,在政策与时间压力下,反而凸显台厂扮演关键少数的重要性,业者研判台厂未来势必成为中国大陆首要争取合作的对象。

中国大陆的记忆体产业,目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力,但在美光发动司法调查,紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后,日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。

台媒:大陆DRAM技术发展还得求助我们

另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队,仍如火如荼进行,并宣示明年要切入一九纳米生产DRAM;福建晋华则和联电合作,委托联电开发DRAM相关制程技术,生产利基型DRAM,团队由瑞晶、美光台湾前总经理,现任联电资深副总经理陈正坤领军,同时出任福建晋华总经理。

据了解,联电为福建晋华在南科建立小型试产线,一度也遭美光司法调查暂停,但不久后又恢复运作,初期将导入三二纳米,最终目标要切入二五纳米以下制程。

不过,业者透露,在美光强力透过美台和中国大陆三地司法调查,大陆DRAM业者遭遇相当大的瓶颈,难有突破,例如近期兆易创新并购北京ISSI已宣告破局,未来即使突破,也恐怕会遭遇美光、三星等大厂排山倒海的侵权诉讼。

记忆体业者分析,大陆在DRAM遭遇技术重重阻力,反让台厂包括南亚科及华邦电等,成为大陆厂商争相包产能的主要对象,原因包括联想、华为、OPPO、VIVO,甚至海尔、TCL等电脑、手机和家电大厂,产品都行销全球,多会尊重智财权,不会贸然导入有侵权疑虑的陆厂记忆体。

业者估计,在三星、SK海力士及美光都不愿转换技术下,至少五年内,大陆DRAM厂都难以突破技术防线,而中国大陆倾全国力量发展记忆体,发展DRAM又势在必行,在时间和技术取得的双重压力下,台厂反而成为可以取得技术授权的管道,未来战略地位值得重视。

主流DRAM大陆有钱也不一定玩得起来

内存产业为典型资本密集与技术密集产业。先从资本谈起,光土地、厂房不含设备,可能就得耗掉150~200亿台币,研究机构Bernstein预估,若要取得DRAM或NANDFlash其中一个市场的一席之地,至少需15%左右的市占,以2014年第四季产能来估算,一个月产出得达20万片(资本支出大约在200亿美元,约6,260亿新台币左右)。

追逐市占的过程中,若产能一个月增加到20万片的幅度,市场将出现超额供给,对于初期生产成本较高的新进者而言,价格会掉到成本以下,新进者即便前面16~24个月之间投入200亿美元以上的资本支出,十年内仍会落后产业先进者一个世代以上。Bernstein预估,新进者投入DRAM产业,将得承受前面十年400亿美元(约1.3兆新台币)的亏损,投入NAND产业前面十年也要有面临350亿美元(约1.1兆新台币)损失的心理准备。

Bernstein预估DRAM产业新进者,前十年将得面对400亿美元以上的亏损。

即便付出了大把银两,也无法保证在这产业胜券在握,台湾就是一个血淋淋的例子。

1990年代~2010年台湾投入了超过500亿美元(约1.6兆新台币)发展内存产业,就为了取得一定的市占,然2006年的两兆双星敌不过韩厂对整个产业体的大力扶植,2008年金融海啸后台厂踌躇是否投资之际,2010年三星资本支出翻倍至18兆韩元(约5,578亿新台币),倾力发展DRAM,血洗了当时产业。

2001~2010年十年之间,DRAM市场拥有80亿美元的获利,倘若排除三星所赚的170亿美元,整个DRAM市场亏了90亿美元,去掉三星与SK海力士两间韩厂,整个产业亏损更是将近130亿美元。整个产业只有三星与海力士获利,在这期间奇梦达破产倒闭、力晶与茂德严重亏损面临重整,南亚科也转进利基型芯片,市场份额不复以往,台厂中较具规模的只剩美光入股的华亚科。

尔后,台厂制程技术始终落后三星等DRAM领导厂商一个世代,成本也因此居高不下,最终茂德与力晶也退出DRAM市场,前者转型IC设计,后者转入晶圆代工市场。

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