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明年Q1量产!骁龙670首曝:8核10纳米 性能提升20%

2017-08-31 17:07 来源:myDrivers 作者:

高通的10nm手机SoC家族加入新员,据微博数码达人草Grass草、i冰宇宙的爆料,骁龙670将于2018年Q1量产。

明年Q1量产!骁龙670首曝:8核10纳米 性能提升20%

规格方面,骁龙670依然设计为8核心,但不同于660的4大4小组合,核心分配为2颗Kryo360和6颗Kryo低功耗核心。

由于采用了DynamIQ技术,事实上可以异构核组建丛集,比如1大+3小组成一个4核丛集,当然,目前停留在猜测阶段。

因为CortexA75/A55是首批基于DynamIQ的CPU架构,所以Kryo360不出意外的话,应该是基于此做半定制。

本次爆料还指出,骁龙670的GPU将从Adreno512升级到Andreno6系,性能提升幅度在25%以上。

明年Q1量产!骁龙670首曝:8核10纳米 性能提升20%

骁龙670因为推出的时间晚,所以工艺从骁龙835的10nmLPE升级为LPP,制程层面的功耗表现又有了改善。

结合A75提升20%、A55效能提升15%和高通的改良,看起来,骁龙670的综合提升在15~20%问题不大,就跑分而言,看齐骁龙820无压力。

另外值得一提的是,高通应该还准备了两颗更先进的旗舰SoC,分别是在诉讼苹果专利文件中和官网中都曾出现的骁龙845和evleaks曝光谷歌定于10月首发Pixel2搭载的骁龙836,前者更是有望上到7nm工艺,同样基于CortexA75魔改的Kryo。

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