內存大厂华邦电今年下半年DRAM及NAND/NORFlash产能全开，但仍不能满足客户强劲需求。华邦电原本计画在台湾及新加坡两地择一兴建新12寸晶圆厂，如今确定将落脚台湾，选择在南科高雄园区兴建新厂。华邦电新厂主要是为了因应2020年之后需求，生产线将以20奈米世代制程DRAM为主体，也可望建置3x奈米NAND/NORFlash产能。

华邦电董事长焦佑钧在今年股东常会中表示，今年內存需求强劲且产能供不应求，华邦电计画兴建新厂因应2020年后需求，至于新厂设厂地点将以台湾优先。而华邦电昨日宣布，新12寸晶圆厂将落脚在台湾，设厂地点在南科高雄园区，将依未来董事会通过时程，公告建厂及产能规划相关事宜。

焦佑钧日前表示，因为建筑业目前很缺土木人工，新12寸厂的建厂时间恐要由1年拉长到20个月，加上装机与试机的时间，从建厂到量产时间需以3年计算，预计第三季决定设厂计画。华邦电已去南科的高雄路竹基地看过，6月向南科管理局补提计画，需地约25公顷。

华邦电今年将全力扩充NORFlash产能，希望一年内可以把供给缺口补起来，中科厂现在月产能达4.3～4.4万片，预计年底可达4.8万片，明年下半年达5.3万片，但台中厂房空间最多只能扩充到5.5～5.6万片。然以长期来看，华邦电需要兴建新厂来推升业绩成长，同时也能把DRAM产能限制移除。

华邦电总经理詹东义日前指出，台中厂产能不足且Flash需求强劲，DRAM及Flash的生产设备不同，今年扩产都以Flash为主，目前台中厂DRAM制程已可支持3x/2x奈米，但投资金额很大，反而是扩充Flash产能的投资效益较好，台中厂的扩产以投资报酬率（ROI）最大化为主轴。但长期来看，华邦电需要兴建新晶圆厂，DRAM产能限制才能移除。

华邦电的DRAM制程下半年将开始导入38奈米，低容量NANDFlash目前采用46奈米生产1～2Gb容量芯片，后续进行制程微缩后可望进入32奈米世代，至于NORFlash制程以46/58奈米为主。设备业者预期，华邦电新厂应可在2020年进入量产，以制程推进来看，新厂将会以20奈米世代制程DRAM产线为主轴，NAND/NORFlash则会建置3x奈米产能，后续再视情况建置2x奈米生产线。