晶圆代工厂格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)在27日发表新一代适用于无线及物联网芯片组之射频/类比制程设计套件(PDK)的22FDX-rfa制程解决方案，以及适用于5G、汽车雷达、WiGig、SatComm及无线移动网络回传的毫米波制程设计套件之22FDX-mmWave制程解决方案，两者都可协助相关IC企业在进行相类似产品设计与生产时，达到最高的产品效能。

格罗方德表示，两款解决方案皆以22纳米FD-SOI制程平台为基础，结合了高效能射频、毫米波以及高密度数位特性，能为整合式单芯片系统解决方案提供强大支援。此技术在高电流密度及低电流密度下均能拥有最高的fT(电流增益截止频率)和fmax(最大振荡截止频率)特性，适合需要尖端效能和电源效率的应用，例如LTE-A、NB-IOT和5G无线收发器、GPSWi-Fi，以及WiGig复合芯片、多种搭载整合式eMRAM的物联网与汽车雷达应用。

格罗方德进一步指出，由于客户不断挑战智能联网装置的功能极限，格罗方德希望透过推出新的FDX系列差异化产品，进而突破智能联网装置的限制。快速演进的移动及物联网主流市场需要射频及类比领域的不断创新。

格罗方德CMOS业务部门资深副总裁GreggBartlett表示，22FDX-rfa制程解决方案整合出色的射频及类比功能，有助于提供具差异化特性的移动及物联网产品，并能完美平衡功耗、效能及成本。另外，针对新兴的毫米波市场，22FDX-mmWave制程解决方案则提供业界前所未有的效能，造就差异化的相位阵列波束成形，以及其他毫米波系统解决方案，同时具备最低功耗以及最高水准的效能以及整合度。

目前格罗方德的的22FDX射频以及毫米波技术产品经过最佳化处理，能够整合高效能天线交换器和功率放大器，适合单一系统单芯片NBIoT和5G毫米波波束成形相位阵列系统等先进连线应用。

另外，22FDX-rfa做为FinFET类技术以外的方案，不仅提供整合前端模组元件的功能，更具备较低热杂讯特性。而且其自增益放大效能与FinFET技术相当，而与bulkCMOS相比，则具有高达至少两倍的自增益效能。与FinFET技术相比，FD-SOI技术基础的固有特性能进一步减少将近三成的浸润式微影层，却能取得更为优异的射频效能。

据了解，格罗方德现已提供进阶射频及类比、毫米波以及嵌入式非挥发式存储器解决方案的流程设计套件，并能立即提供客户原型设计。