东芝(Toshiba)11日发布新闻稿宣布，关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D架构NAND型快闪存储器(FlashMemory)专用厂房「第6厂房」投资案，旗下子公司「东芝存储器(TMC；ToshibaMemoryCorporation)」原先是计划在2017年度内(截至2018年3月底为止的会计年度)砸下1950亿日元资金，用于导入「第6厂房」第1期工程所需的生产设备以及用于第2期工程的厂房兴建，不过因来自服务器、数据中心的3DNAND需求扩大，故TMC将在2017年度内加码投资1100亿日元用于第1期工程的设备导入，也就是说2017年度内对「第6厂房」的投资金额将扩大至3050亿日元。

东芝表示，关于WesternDigital(WD)子公司SanDisk是否会参与上述追加的1100亿日元投资计划，目前正向SanDisk提案、协议中。

「第6厂房」第1期工程预计于2018年夏天完工，第2期工程厂房预计于2017年9月动工、2018年年末完工。关于具体的产能、生产计划，将于今后视市场动向决定。

东芝6月28日宣布，已携手SanDisk研发出全球首款采用堆栈96层制程技术的3DNANDFlash产品，且已完成试作、确认基本动作。

该款堆栈96层的3DNAND试作品为256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC：TripleLevelCel)技术的产品，预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能型手机、平板计算机和记忆卡等市场。

上述堆栈96层的3DNAND将利用东芝四日市工厂「第5厂房」、「新第2厂房」以及预计2018年夏天完成第1期工程的「第6厂房」进行生产。