三星电子准备按下毁灭开关，存储器的超级周期将画上句点？据传三星为了防止中国厂染指DRAM，打算大举扩产，未来全球DRAM产出可能一举暴增20%。

韩媒etnews31日报导，据了解，三星正在改装韩国华城（Hwasung）厂16号线，此一产线原本生产2DNAND，明年第一季起将量产DRAM。另外，三星的韩国平泽厂也在打造新DRAM产线，第一阶段产能估计明年第三季开出。

预计2018年三星在华城厂和平泽厂的DRAM产出将增加6万组，规模不算太大。问题在2018年下半之后，三星计划把华城16号线全数用于生产DRAM，若闲置空间全数使用，DRAM产能将增加13.5万组。不只如此，届时平泽厂DRAM投资也进入第二阶段，DRAM产能将增10万组。两厂相加，等于开出23.5万组的新产能。

做为对照，今年第三季全球DRAM产能为每月110万组，要是三星真的增产23.5万组，全球DRAM供给将飙升20%。内情人士透露，部分三星高层认为，要在中国跨入DRAM市场之前，先结束DRAM热潮。三星电子实质掌门权五铉明年初下台，掌管三星半导体业务的金奇南（KimKi-nam），是呼声极高的接班人，据悉金奇南支持大幅增产。

不只如此，SK海力士也在无锡兴建新厂，预计2018年底完工，2019年安装设备，产能为每月12万组。