11月9日，英诺赛科（珠海）科技有限公司举行8英寸硅基氮化镓通线投产仪式。据悉，这是中国首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线。由于高温环境下生长的氮化镓薄膜冷却时受热错配应力的驱动下，容易发生破裂或翘曲，成为硅基氮化镓大英寸化的主要障碍，英诺赛科采取独有技术解决了这一挑战，将硅基氮化镓晶圆尺寸推进到8英寸。

英诺赛科董事长骆薇薇表示：“经过2年的努力我们终于建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片生产线，并成功量产，添补了我国在这一领域的空白。这既是一个里程碑也是一个新的起点。公司将继续在技术前沿上推进，把握行业发展趋势，在应用领域上不断开拓，在市场上与多方合作，将公司建成行业内最具影响力的企业。”

英诺赛科总经理孙在亨表示：“氮化镓又被称做宽禁带半导体，是当今世界上最具潜力的半导体材料之一。中国是世界上最大的半导体产品市场，同时也是产业技术发展最迅速国家。氮化镓产业将带来巨大的创新发展机遇。”

英诺赛科是2015年12月由海归团队发起创办，从事宽禁带半导体电力电子器件的研发与生产，一期项目位于珠海市国家级高新区，已完成投资10.9亿元，建设8英寸增强型硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司商业模式将采用IDM全产业链模式，打造集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试于一体的生产平台，主要产品包括100V-650V8英寸硅基氮化镓外延片、100V-650V氮化镓功率器件、氮化镓集成电路。

硅氮化镓技术能够提高功率密度和能效，同时缩小器件尺寸，因此，非常适合用于电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品，服务器和电信设备中使用的SMPS。有报告称，面向功率半导体的硅基板GaN技术市场，将以高达50%以上的年均复合增长率(CAGR)成长。到2023年，其市场容量将从2014年的1,500万美元，增至8亿美元。