明年NAND flash究竟是涨是跌，多空激烈争辩。摩根士丹利(大摩)唱衰NANDflash的报告，开了一枪。如今IHSMarkit也跟进，预测明年NAND将供过于求。但是美系外资力排众议，高喊各方错看，明年NAND供应将持续吃紧。

韩媒Business Korea5日报导(见此)，IHS Markit报告预估，明年全球NAND flash供给将提高39.6%、至2,441亿GB。其中三星电子将带头增产，预料供给将增39%至879亿GB。与此同时，明年全球NAND需求提高36.7%至2,424亿GB，供给超出需求17亿GB，供给过剩比率约为0.7%。

尽管NAND转跌，DRAM价格仍旺，业界人士说，三星也许会减产NAND、增产DRAM。美系外资附和此一看法，推测三星平泽厂的二楼产线，可能从生产NAND改为生产DRAM。若真是如此，该外资预估，明年NAND供给将短缺0.7%，供不应求情况到明年第三、四季更为严重，将分别短缺2%、3.2%，吃紧情况为去年第四季以来之最。

部分观察家则说，另一个可能影响产出的因素是制程转换的技术问题，也许会让增产幅度小于预期。技术难度不断提高，过去六、七年来，业者投资规模大致维持不变，但是产出成长幅度却减半。随着三星和SK海力士转进3DNAND，结果或许好坏参半，压缩成长增幅。

嘉实XQ全球赢家系统报价显示，台北时间5日上午9点36分，三星电子走低0.74%、报2,548,000韩圜。SK海力士下跌1.01%、报78,300韩圜。

在此之前，另一韩媒也说，三星平泽厂二楼主要用于生产DRAM，但是警告此举也许会让DRAM供过于求。

韩媒etnews4日报导，三星平泽厂区的半导体一号厂，共有两层楼。一楼设有餐厅和办公室等，剩余空间较少，每月只能生产10万组芯片。二楼空间较多，每月可生产20万组芯片。二楼分为东西两翼，东翼预定生产7万组3DNANDflash和3万组DRAM、西翼预定生产10万组DRAM，三星不久后应会下单采购DRAM设备。

报导称，要是三星加快投资脚步，并决定把二楼多用于生产DRAM，DRAM可能供过于求，价格由涨转跌。业界人士说，内存价格取决于三星投资速度；不仅如此，三星的西安厂可能也会投资增产(应为NAND flash)，料于2018年底或2019年启动。明年NAND flash究竟是涨是跌，多空激烈争辩。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的报告，开了第一枪。如今IHS Markit也跟进，预测明年NAND将供过于求。但是美系外资力排众议，高喊各方错看，明年NAND供应将持续吃紧。

韩媒Business Korea5日报导(见此)，IHS Markit报告预估，明年全球NAND flash供给将提高39.6%、至2,300韩圜。

在此之前，另一韩媒也说，三星平泽厂二楼主要用于生产DRAM，但是警告此举也许会让DRAM供过于求。

韩媒etnews4日报导，三星平泽厂区的半导体一号厂，共有两层楼。一楼设有餐厅和办公室等，剩余空间较少，每月只能生产10万组芯片。二楼空间较多，每月可生产20万组芯片。二楼分为东西两翼，东翼预定生产7万组3DNAND flash和3万组DRAM、西翼预定生产10万组DRAM，三星不久后应会下单采购DRAM设备。

报导称，要是三星加快投资脚步，并决定把二楼多用于生产DRAM，DRAM可能供过于求，价格由涨转跌。业界人士说，内存价格取决于三星投资速度；不仅如此，三星的西安厂可能也会投资增产(应为NANDflash)，料于2018年底或2019年启动。