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DRAM将长期供不应求 都是3D NAND Flash的错?

2017-12-12 11:05 来源:集微网 作者:

DRAM严重供不应求,三星明年首季再涨价3%至5%之后,SK海力士下季也将涨价约5%,全球DRAM价格连续七季上扬,是历来涨势最久的一次。

业界解读,三星、海力士下季涨价态度坚决,等于向全球宣告,韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心,消除外界认为两大韩厂打算调降售价格,防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。

DRAM将长期供不应求 都是3D NAND Flash的错?

手机中国联盟秘书长王艳辉认为,有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽,有点太看得起自己,虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段,要与三星、海力士抗衡,至少还需要三到五年的时间,中国存储器产业要崛起至少需要五到十年的时间,现在还处于交学费阶段。

台湾DRAM相关厂商透露,三星、SK海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价,由于二大韩系厂全球DRAM份额总计近八成,在寡占优势下,下游厂商只能接受涨价。一般预料,这波涨价,更确立这波DRAM多头行情,让DRAM成为明年获利最稳定的电子零组件代表。

业界人士分析,造成此波DRAM供不应求,除了来自人工智能、车用、云端服务器、物联网、笔记本电脑和移动设备等需求齐发,需求瞬间大增,但主要芯片厂多集中发展3DNANDFlash,压缩DRAM产能增幅,在「需求大增、供给增加有限」下,市场供需严重失衡。

由于需求太强劲,此波DRAM价格从去年下半年以来每季都调涨,加计下季持续涨价,报价连续七季走扬,堪称DRAM史上时间最长的多头行情。

业界分析,三星与SK海力士在明年淡季持续调涨售价,反应无意打破目前DRAM供不应求、获利稳定的情况,也将藉由DRAM的获利,作为未来在3DNANDFlash发动价格战的主要凭借,并消除外市场买盘观察的预期心理。

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