MACOM和意法半导体（ST）宣布一份硅上氮化镓GaN合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频芯片。除了扩大MACOM之货源外，该协议还授权意法半导体在手机、无线基地台和相关商用电信基础建设之外的射频市场制造、销售硅上氮化镓产品。

透过该协议，MACOM期望获得更高的芯片产能和优化的成本结构，不只取代现有的LDMOS芯片，另加快硅上氮化镓在主流市场上的应用。意法半导体和MACOM为提升意法半导体CMOS晶圆厂的硅上氮化镓产量而合作多年，依照目前时程，意法半导体预计在2018年开始量产样片。

MACOM总裁暨执行长JohnCroteau表示，「本协议是我们引领射频产业朝向硅上氮化镓技术转化之漫长征程中的一个里程碑。截至今日，MACOM透过化合物半导体小厂改善并验证硅上氮化镓技术的优势，射频性能和可靠性甚至超越成本昂贵之硅上氮化镓产品的替代技术。我们期待这项合作让GaN的创新在硅供应链内结出硕果，最终服务于要求最高的客户和应用。」

意法半导体汽车与离散组件产品部总裁MarcoMonti表示，「ST硅晶圆的制造规模和卓越的运营优势将释放新型射频功率应用的潜力，且在制造成本上取得的突破将有助于增加硅上氮化镓市占率。虽然扩大现有射频应用的机会极具吸引力，但是我们更想将硅上氮化镓使用在新的射频能源应用，特别是汽车应用，例如，电浆点火可提升传统发动机的燃烧效率，以及射频照明应用将带来更高效且持久的照明系统。」

StrategyAnalytics先进半导体应用服务总监EricHigham则表示，「一旦高功率射频半导体产品攻破0.04美元/瓦的关卡，射频能量市场将会迎来大量机会。在商用微波炉、汽车照明和点火、电浆照明灯等设备市场，射频能量组件出货量将上看数亿的规模，销售金额可达数十亿美元。」