三星电子(Samsung Electronics)与高通(Qualcomm)宣布，预计将双方长达十年的晶圆制造合作关系扩展至极紫外光(EUV)制程，包括高通下一代QualcommSnapdragon5G行动晶片，也将采用三星7纳米LPP(Low-Power Plus)EUV制程，以缩小晶片尺寸，实现更大的电池空间及更轻薄的设计。

三星晶圆代工业务与营销团队执行副总裁CharlieBae表示，该公司很高兴能与高通继续扩大于5G技术上的合作关系，这次的合作对三星晶圆代工业务而言是重要的里程碑，因为这代表高通对三星晶圆制程技术的信心。

据悉，三星于2017年在7纳米制程中，首度导入极紫外光微影技术，希望可借此突破摩尔定律。和10纳米FinFET制程相比，7纳米LPPEUV的制程工序较少，可提升40%面积使用效率、良率较高，且性能增加10%，功耗则降低了35%。

高通希望透过7LPPEUV制程技术，能有效减少Snapdragon 5G行动晶片的尺寸，减少占位空间，使原始设备制造商(OEM)能有更多空间增加电池容量或是进行薄型化设计；高通指出，透过先进的制程技术与晶片设计，预期电池寿命将会显著提升。

高通旗下子公司，高通技术公司(Qualcomm Technologies,Inc.)供应链管理与采购部门副总裁RKChunduru表示，与三星合作，透过7nmLPPEUV技术，在制程流程改变与先进晶片设计相结合的情况下，该公司新一代Snapdragon 5G行动晶片组将获得更多优势，进而提升未来5G设备的用户使用体验。