存储器市场爆发，DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%，首次超越逻辑电路，成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式继续保持垄断地位，合计市占率超过95%，国产厂商开始积极布局，2018年将实现量产，有望逐步改变当前产业格局。DRAM消费产品中，移动终端、服务器和PC依旧占据头三名，合计占比86%，未来将继续拉动DRAM消费增长。

三星领先优势明显，传统技术难以替代。三星于2017年开始量产第二代10nm级8GbDDR4DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的产能，继续维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。新型存储器由于存在CMOS兼容问题和器件级变化性，且DRAM的性价比高，技术成熟且具有规模优势，预计未来5-10年内难以被替代。同时，由于DRAM的平面微缩接近极限并向垂直方向扩展，18/16nm之后，薄膜厚度无法继续缩减，且不适合采用高介电常数材料和电极，继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势，3DDRAM在宽松尺寸下能够实现高密度容量，且寄生阻容减少，延时串扰低，未来可能成为DRAM的演进方向。

受益于需求增长拉动，DRAM保持量价齐增态势。随着5G商用逼近以及云计算、IDC业务的拉动，移动终端、服务器和PC侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减，包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line15生产线，SK海力士的M14生产线，以及美光在广岛的Fab15和Fab16的扩产计划，但由于光刻技术接近瓶颈，良率问题日益突出以及新技术的出现，各厂商工艺进程都有所推迟，预计2018年全球DRAM产能增加10%，2018年DRAM依旧保持量价齐增态势。

我们建议关注国家政策资金支持带来的投资机会：兆易创新(A股存储器龙头)、北方华创(A股集成电路设备龙头)、长川科技(A股封测设备龙头)。

风险提示：行业竞争加剧，需求增长不达预期。