MOS管作为半导体领域基础的器件之一，无论是在IC设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛，那么你对MOS管的各项参数，有了解多少呢？冠华伟业作为中低压MOS专注商，为你详解关于MOS管的各项参数！

极限参数

最大极限值是指超出该工作范围MOS管就可能损坏,应用设计中，工作条件绝不可以超过这些参数。

VDSS最大漏源承受电压

在特定的温度和栅源极短接情况下，流过的漏极电流达到一个特定值（急剧猛增）时的漏源电压。这种情况下的漏源电压也称为雪崩击穿电压。VDSS属于正温度系数，-50°C时，VDSS大约是25°C时的90%。由于正常生产中通常会留有预量，MOSFET的雪崩击穿电压总是大于标称的额定电压。

冠华伟业温馨提示：为保证产品可靠性，在最坏的工作条件下，建议工作电压不要超过额定值的80~90%。

VGSS最大栅源承受电压

是指栅源间反向电流开始急剧增加时的VGS值。超过此电压值将会使栅氧化层发生介质击穿，这是一种破坏性的不可逆击穿。

ID最大漏源电流

是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。MOSFET的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

IDM最大脉冲漏源电流

反映了器件可以处理的脉冲电流的低，此参数会随结温度的上升而有所减小。若是该参数过小,系统在做OCP测试时,有被电流击穿的风险。

PD最大耗散功率

是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

TJ,TSTG工作温度和存储环境温度的范围

这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。

静态参数

MOS管测试条件一般是在2.5V、4.5V、10V。

V(BR)DSS漏源击穿电压

是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

V(BR)DSS/△Tj：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃

RDS(on）导通电阻

在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

VGS(th)开启电压（阀值电压）

当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压，此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

IDSS饱和漏源电流

栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。一般在微安级。

IGSS栅源驱动电流或反向电流

由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS一般在纳安级。

动态参数

gfs：跨导

是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度

Qg：栅极总充电电量

Qgs：栅源充电电量

Qgd：栅漏充电电量

MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。

Ciss：输入电容

将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容。Ciss=CGD+CGS。对器件的开启和关断延时有直接的影响。

Coss：输出电容

将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容。Coss=CDS+CGD。

Crss：反向传输电容

在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容Crss=CGD。对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数。

其他参数

Td(on)：导通延迟时间

从有输入电压上升到10%开始到VDS（Vout）下降到其幅值90%的时间(如下图示)。

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Tr：上升时间

输出电压VDS（Vout）从90%下降到其幅值10%的时间。

Td(off)：关断延迟时间

输入电压下降到90%开始到VDS（Vout）上升到其关断电压时10%的时间

Tf：下降时间

输出电压VDS（Vout）从10%上升到其幅值90%的时间，参照下图所示。

雪崩击穿参数

EAS：单次脉冲雪崩击穿能量，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量

IAR：雪崩电流

EAR：重复雪崩击穿能量

体内二极管参数

IS：连续最大续流电流（从源极）

ISM：脉冲最大续流电流（从源极）

VSD：正向导通压降

Trr：反向恢复时间

Qrr：反向恢复充电电量

Ton：正向导通时间（基本可以忽略不计）

以上就是关于MOS管参数的解读，了解更多MOS管信息，可以详询冠华伟业。深圳市冠华伟业科技有限公司，主要代理WINSOK微硕中低压MOS管产品，依托原厂一级代理优势，立足于中国，公司货源充足，以现货为主，价格合理优势，利用完善的服务网络建立强大的优势为客户介绍引进各类先进科技电子元件，协助各厂家生产品质优良的产品并提供完善的服务。