美国考虑提高对中国出口关键半导体部件和技术的限制。

三星电子和SK海力士可能别无选择，只能将他们的业务范围限制在已经拥有主要半导体制造厂的国家。尽管韩国政府小心谨慎，不要站在世界上两个最大经济体之间正在进行的芯片生产“军备竞赛”中，但韩国芯片制造商正在大致上与美国政府设定的方向保持一致。

半导体行业的一位不愿透露姓名的消息人士说：“在特朗普时代的制裁之后，三星电子和SK海力士去年切断了向华为的芯片供应，这一事实表明它们与美国的政策保持同步。”

消息人士说：“他们不会明确提到他们与美国站在一边，但这样做是因为美国及其盟国日本和荷兰对高端芯片制造工具和零件拥有强大的控制力。”

去年，美国政府禁止向华为和中芯国际（SMIC）销售使用美国技术的组件。

鉴于美国和盟国在关键半导体技术上的锁定程度，这些限制使得韩国公司几乎不可能与目标中国公司打交道。

一位当地设备制造商的消息人士说：“美国在半导体设备上的影响力很大，占据了大部分市场份额。”

韩国公司在中国土地上进行的最后一次设施投资可以追溯到2019年，当时美国总统唐纳德·特朗普（DonaldTrump）仍未收紧对中国来自美国制造的半导体设备出口。

三星电子宣布在2019年对其西安的芯片厂进行80亿美元的投资，以扩大NAND闪存的产能。

在斥资9,500亿韩元在无锡建立工厂之后，SK海力士于同年完成了其DRAM工厂的扩建。

一位知情人士说：“SK海力士没有计划扩大其在无锡的DRAM工厂的生产能力。”

三星电子拒绝置评。

由于中国相对较低的地价和劳动力成本，中国一直是内存芯片生产线的先选目的地。对于三星电子和SKhynix而言，中国是韩国以外唯一拥有内存芯片工厂的国家。

现在，他们在中国的投资计划取决于美国新政府的行动，而拜登政府可能会发起更广泛的运动，以遏制各种技术的出口。

由谷歌前首席执行官埃里克·施密特（EricSchmidt）主持的美国国会咨询委员会国家安全委员会起草的一项政策建议，呼吁美国政府与盟国合作，阻止将关键的半导体制造设备供应给中国。国i务院和商务部应与荷兰和日本政府合作，调整所有三个国家在高端半导体制造设备（特别是极紫外（EUV）和氟化氩（ArF）浸没式光刻设备）方面的出口许可程序，推定拒绝向中国出口此类设备的许可证的政策。

这项提议超出了现有制裁措施的一步，现有制裁限制了由荷兰ASML向中国芯片制造商出口EUV设备。

如果政府在禁令中增加氟化氩浸没式光刻设备，此举可能会影响中国存储芯片的制造。

一家本地存储芯片制造商的消息人士说：“主流的DRAM和NAND闪存产品是基于ArF技术制造的。”

他说：“如果美国政府将出口限制扩大到包括ArF浸没式光刻技术，三星电子和SK海力士几乎不可能在中国扩大存储芯片的生产，因为它们无法引进对制造至关重要的设备。”

三星电子可能不会优先考虑在中国的扩张，因为目前NAND闪存并不短缺。

该公司在京畿道平泽市（Pyeongtaek）的P3工厂已经在建设中，有足够的土地来建造三座工厂。