本文简单介绍了为何要沟槽填充以及有哪些填充技术。

PVD，CVD有很多种类，它们分别用在哪些芯片节点的沟槽填充中？

为什么要填充？

在浅沟槽隔离，接触孔，沟槽中都需要进行填充。主要是实现：

1，电气隔离

2，互连

有哪些填充技术？

1，PECVD（等离子体辅助化学气相沉积）

在填充间隙大于0.8um时，普遍使用PECVD来填充。但是当填充间隙小于0.8um时，用PECVD来填充会有很多空洞。

2，HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)

HDPCVD优点：高填充能力，能够填充深宽比为6：1的结构；净沉积速率接近于零，有助于避免在高深宽比结构中填充时出现“锥形效应”。

HDPCVD适用于90nm的节点。

3，HARP（high aspect ratio process）

应用材料公司的Producer HARP，采用臭氧/TEOS的热化学反应，可以满足深宽比为12：1结构的填充。

HARp工艺及其变种，适用于30nm左右的工艺节点。

4，FCVD(Flowable Chemical Vapor Deposition)

FCVD结合了旋涂电介质 (SOD) 优异的间隙填充性能和 CVD 的工艺稳定性，用来制造线宽在20 纳米以下的ILD（层间介电质）。填充的深宽比最高可达到30：1。

5，ALD(原子层沉积)

实现100%的保角性，最高可用来填充深宽比100：1的结构。