据南京发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心(南京)，成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。

这也是我国在这一领域的首次突破，打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。

沟槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能，如更低的导通损耗、更好的开关性能和更高的晶圆密度，一直被视为半导体技术的前沿。

然而，由于碳化硅材料的高硬度和制备过程中的复杂性，沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造工艺一直是一个难题。

技术总监黄润华指出，碳化硅材料的硬度非常高，制造沟槽型结构需要极高的刻蚀精度和损伤控制，这对碳化硅器件的研制和性能有着决定性的影响。

为此研发团队通过不断的尝试和创新，最终建立了全新的工艺流程，解决了制造过程中的难点，成功制造出了性能更优的沟槽型碳化硅MOSFET芯片。

据黄润华介绍，与平面型碳化硅MOSFET相比，沟槽型产品在导通性能上提升了约30%，这一技术突破预计将在一年内应用于新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域。

而且这一成果的应用还将为消费者带来直接的好处，例如在新能源汽车中，使用碳化硅功率器件可以提升续航能力约5%，同时降低芯片使用成本。