做为全球引领的半导体代工企业，台积电拥有无可匹敌的技术和工艺优势，在制程方面一直引领对手。

近日，晶圆代工龙头台积电董事会已核准在中国台湾市场募集无担保普通公司债，以支应产能扩充与污染防治相关支出的资金需求，资金额度不超过新台币600亿(约140亿元人民币)。

这是台积电继2013年发行普通公司债以来再度发行，而且较高筹资额度达600亿元亦创下新高纪录。

此前，台积电已于3月发行第一期无担保普通公司债，发行总额为新台币240亿元。依发行期限不同分为甲类、乙类、丙类等3种。其中，甲类发行金额为新台币30亿元整，发行期限为5年期，固定年利率达0.58％；乙类发行金额为新台币105亿元整，发行期限为7年期，固定年利率达0.62％；丙类发行金额为新台币105亿元整，发行期限为10年期，固定年利率达0.64％。

4月6日再发行第二期无担保普通公司债，共筹得456亿元资金，将用于新建扩建厂房设备。包括5年期甲类发行金额59亿元、7年期乙类发行金额104亿元，及10年期丙类发行金额53亿元，发行总额新台币216亿元，用于新建、扩建厂房设备。

根据预期，台积电预计今年发行的无担保普通公司债的较高额度达600亿元，扣除第一期及第二期共456亿元，仍有144亿元额度可发行第三期公司债，但发行与否将视市场实际情况而定，不一定会足额发行。

台积电从去年便开始启动3nm晶圆厂的建设工作，由于晶圆厂对水力、电力资源要求很高，初期的环评工作很严格，今天台湾环保部门公布了台积电3nm晶圆厂的专案初审，通过了新竹科学园区有过宝山用地的申请，这意味着台积电的3nm晶圆厂最终落地在新竹园区。

根据之前的资料，整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设，耗资超过4000亿新台币，折合879亿人民币或者130亿美元。

虽然其已加快3nm研发以延续引领地位，不过对手三星亦积极抢进，据韩媒报导，三星已经成功开发业界第一个3nm芯片制程，与其的5nm制程产品相比，3nm制程的晶尺寸缩小35%，功耗降低50%，但性能却提高30%，计划在2022年开始利用3nm制程大规模生产芯片，此项成就有望加速三星实现2030年的半导体愿景计划。