亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.，简称ADI)旗下凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001，该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关，使其能够保持无限期接通。LTC7001强大的1Ω栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和35ns传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。

LTC7001用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极电压可能在0V至135V(绝对最大值为150V)之间的高压侧N沟道功率MOSFET。LTC7001在3.5V至15V的驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动一个1000pF负载时，快速13ns上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。

LTC7001采用MSOP-10封装，其引线配置为提供高压间隔。该器件有3种工作结温级版本，扩展和工业级版本的温度范围为–40°C至125°C，高温汽车级版本则为–40°C至150°C，军用级版本为–55°C至150°C。千片批购价为每片2.40美元。

照片说明：快速150V高压侧N沟道MOSFET静态开关驱动器

性能概要：LTC7001

·宽VIN工作范围：0V至135V(150V绝对最大值)

·内部充电泵以实现100%占空比能力

·1Ω下拉、2.2Ω上拉以实现快速接通和断开时间

·快速35ns传播延迟

·可调接通转换率

·3.5V至15V栅极驱动器电源

·可调驱动器电源VCC欠压闭锁

·可调VIN过压闭锁

·CMOS兼容输入