根据消息，工业和信息化部于 9 月 9 日印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）的内容。

工信微报介绍称，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。中国首台（套）重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

而就在电子专用装备目录下，集成电路设备方面出现了氟化氩光刻机和氟化氪光刻机，这两者均属于DUV光刻机。氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）两种气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，产生深紫外光的准分子激光器。

根据信息，其中氟化氩光刻机显示为分辨率≤65nm、套刻≤8nm；氟化氪则显示分辨率≤110nm、套刻≤25nm。其中，套刻精度通常被指为“多重曝光能达到的最高精度”，按套刻精度与量产工艺约1：3的关系，这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片，大致相当于20年前ASML的1460K。

28nm虽然不是特别先进技术，但意义依然重大，因为这是芯片中低端和中高端的分界线，目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外，其余的工业级芯片大多都是28nm以上技术。

根据消息，光刻机共经历了五代的发展，从最早的 436 波长，再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line，第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波长的 DUV 激光，这就是 ArF 准分子激光。

ArF（氟化氩）准分子激光源光刻机，光源实际波长突破 193nm，缩短为 134nm，NA 值为 1.35，最高可实现 7nm 制程节点。浸入技术是指让镜头和硅片之间的空间浸泡于液体之中，由于液体的折射率大于 1，使得激光的实际波长会大幅度缩小。

用ArF dry作为突破口的另一个好处是，ArF dry（干式ArF光刻机）和immersion（浸润式ArF光刻机）光源都是193nm，所以如果能通过这套设备积累经验，逐步步优化机械部分提高精度(套刻)和稳定性(WPH，维护频率，返工率等等)，就有机会继续升级到湿式光刻机，那么40~7nm的制程也能够逐步实现。

根据消息,不同阶段的光刻机意味着新的独立。

• 实现65nm光刻机，意味着军事独立:中国军事上用的芯片，可以不用进口和走私，在整个西方国家封锁的条件下，打赢台海战争。

• 实现28nm光刻机，意味着工业独立:中国的空调洗衣机汽车等各类工业品，可以在西方国家脱钩断链技术制裁的情况，自主生产销售。

• 实现7nm光刻机，意味着中国电子产业独立:绝大部分的手机芯片，电脑硬盘内存cpu显示器等各类电子产业，都能摆脱国外限制。

• 实现7纳米以下的光刻机，意味着中国成为世界的科技中心:中国能生产出七纳米以下的光刻机，依靠中国的市场，能源，人口各类优势，中国很快就会成为世界上最强大的国家和科技中心。

与此同时，SMEE(上海微电子设备)提出了一项新的EUV专利公布。它被称为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”。该专利于2023年3月颁发，目前正在接受中国知识产权局的审查，将很快就会获得批准。

我们来看下这项专利的摘要：

【本发明提供了一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，极紫外辐射发生装置包括腔体；靶材发生器；激光发生器，用于向靶材发射激光并产生带电粒子及极紫外光；设于腔体内的收集器镜，用于沿收集器镜的光轴收集并反射极紫外光；设于腔体内的若干电极板，相邻电极板之间形成有电场，利用电场约束带电粒子及利用电极板收集不同极性的带电粒子；以及，气控部件，用于产生氢自由基，其经过电极板与带电粒子反应形成气体并排出。

本发明中，利用电场约束带电粒子的轨迹，使带电粒子被收集至电极板上，再利用氢自由基与带电粒子反应形成气体而排出，同时通入惰性气体在腔体内可形成稳定流场，以阻止带电粒子扩散至收集器镜，从而延长收集器镜的寿命。】

随着工信部以及国内企业对于光刻机的信息公布，意味着国内芯片领域生态环境在改变与提升，未来将突破约束，拥有自己的造芯生态。我们期待这一天早点到来。