7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。

据悉，Rapidus首块2nm GAA晶圆直径30厘米，“确认了足以令客户候选满意的运作性能”。此次公开的晶圆仍处于中间阶段，仅包含部分必要功能。Rapidus计划进一步改善晶体管性能，争取在年内完成开发。

2nm GAA晶体管原型晶圆  图源：Rapidus官网

日本长期以来依赖美国、韩国和中国台湾地区的半导体供应链，尤其是在先进制程芯片方面。Rapidus的2纳米芯片计划旨在打破这一依赖，使日本能够在领先节点上实现本土制造。这不仅有助于减少对外国技术的依赖，还能增强日本在全球半导体产业链中的地位。

Rapidus由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、Denso、铠侠、三菱UFJ等8家日本企业共同出资成立，目标是开发和生产最先进的半导体工艺。其首座晶圆厂IIM-1于2023年9月1日奠基，2024年12月完成了洁净室准备，2025年4月1日实现了初始图案的曝光与显影，并在2025年6月完成了由200多个制造单元构成的生产线。

从技术角度来看，Rapidus的2nm工艺采用了BSPDN和GAA技术，使其在性能和能效方面具有显著优势。这种技术路线的选择使得Rapidus在先进制程领域具备一定的独特性。然而，由于2nm技术仍处于研究阶段，Rapidus面临着良率和可靠性方面的挑战。

在资金支持方面，日本政府对Rapidus提供了大量财政支持。据悉，日本经济产业省批准了对Rapidus的2025财年资助计划，前端与后端工艺各分得至高6755亿日元和1270亿日元，多年累计资助总额达1.7225万亿日元。这些资金的注入为Rapidus的2nm工艺研发和量产提供了有力保障。

Rapidus在7月18日举行的新闻发布会   图源：Rapidus官网

尽管Rapidus在2nm工艺上取得了重要进展，但其量产时间表仍面临一定的不确定性。台积电计划在2025年量产2nm芯片，而Rapidus的目标是2027年实现量产。这意味着Rapidus将比台积电晚两年实现量产。对此，Rapidus社长小池淳义近期表示，公司将通过采用新的生产方式，从下单到芯片生产和组装的速度可以达到台积电的2-3倍以上，从而通过缩短生产时间来实现差异化。

此外，小池淳义还透露，Rapidus计划在2nm之后生产下一代1.4nm。

目前，Rapidus正在积极准备其2nm制程的商业化应用，开发与其2nm工艺兼容的PDK（工艺开发套件），计划在2026年一季度结束前向客户交付，2027年实现2nm量产。