广东场效应
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CMF65R190SD：优秀开关电源MOS
CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。这种组合，结合极低的开关、换向和传导损耗以及最高的鲁棒性，使得共振开关应用更加[详细]
2025-06-19 14:02 分类：广东场效应 -
高效节能，赋能高密度电源与电机驱动设计
一、产品概述 CMSA010N04AU是场效应半导体（Cmos）一款高性能N沟道MOSFET，专为低压、大电流应用场景优化。其采用先进的DFN薄片封装技术，在40V耐压下提供极低的导通电阻（典型值Rds(on)仅0.8mΩ），同时具备优[详细]
2025-06-06 11:47 分类：广东场效应 -
慧聪电子网专访广东场效应|2024慕尼黑上海电子展特辑
7月8日，2024慕尼黑上海电子展（electronica China）在上海新国际博览中心隆重启幕。作为全球最具影响力的电子行业盛会之一，本届展会以新能源汽车、储能、智能驾驶、卫星通信、机器人、可穿戴、智能建筑、边缘智能、[详细]
2024-07-19 09:44 分类：高端访谈
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