［导读］业界首款图腾柱ＰＦＣ控制器以高性价比提供高性能

２０２１年６月２３日—推动高能效创新的安森美半导体，推出业界首款专用临界导通模式　（ＣｒＭ）　ﻪ图腾柱ＰＦＣ控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。

在传统的ＰＦＣ电路中，整流桥二极管在２４０　Ｗ电源中的损耗约４　ﻪＷ，占总损耗的２０％左右。相比之下，ＰＦＣ级的能效通常为９７％，ＬＬＣ电路实现类似的性能。然而，用　＂图腾柱　ﻪ＂配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压ＰＦＣ功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，ＮＣＰ１６８０可适用于任何开关类型，无论是超级结硅ＭＯＳＦＥＴ还是碳化硅　ﻪ（ＳｉＣ）　或氮化镓　（ＧａＮ）　等宽禁带开关。

新的　ＮＣＰ１６８０　ＣｒＭ　图腾柱　ＰＦＣ　控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱　ﻪＰＦＣ方案，而不影响性能。该　ＩＣ　的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间　ＣｒＭ　架构。由于内置非连续导通模式　ﻪ（ＤＣＭ），在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准。

该高度集成的器件可使电源设计在通用电源　（９０　至　２６５　Ｖａｃ）　下以高达３５０　Ｗ的建议功率水平工作。在　２３０　Ｖａｃ　电源输入下，基于　ﻪＮＣＰ１６８０　的　ＰＦＣ　电路能够在　３００　Ｗ实现近　９９％　的能效。在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱　ＰＦＣ，从而节省空间和器件成本。　ﻪ进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。

ＮＣＰ１６８０采用小型ＳＯＩＣ－１６封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱ＰＦＣ设计。

根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，ＮＣＰ１６８０　可与　ＮＣＰ５１８２０　半桥　ＧａＮ　高电子迁移率晶体管　ﻪ（ＨＥＭＴ）　门极驱动器或　ＮＣＰ５１５６１　隔离型　ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ　门极驱动器一起使用。　ＮＣＰ５１５６１　是隔离型双通道门极驱动器，具有　４．５　Ａ　ﻪ源电流和　９　Ａ　灌电流峰值能力。新器件适用于硅功率　ＭＯＳＦＥＴ　和基于　ＳｉＣ　的　ＭＯＳＦＥＴ　器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的　５　ﻪｋＶＲＭＳ　（ＵＬ１５７７　级）　电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。一个使能引脚将同时关断两个输出，且　ﻪＮＣＰ５１５６１　提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定　（ＵＶＬＯ）　和使能功能。

安森美半导体提供阵容广泛的　ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ，它们比硅　ＭＯＳＦＥＴ　提供更高能效。低导通电阻　（ＲＤＳ（ｏｎ））　ﻪ和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷　（Ｑｇ），以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。　安森美半导体已发布采用　ＴＯ－２４７－４Ｌ　和　ﻪＤ２ＰＡＫ－７Ｌ　封装的　６５０　Ｖ　ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ，并将继续猛增该产品系列。　此外，安森美半导体提供完整的硅基　６５０　Ｖ　ＳＵＰＥＲＦＥＴ®　ＩＩＩ　ﻪＭＯＳＦＥＴ　产品组合。