近日，IBM首i发了2nm工艺芯片，它使用了GAA环绕栅极晶体管技术，密度可达3.33亿晶体管/mm2，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的2.9晶体管/mm2要高。性能方面，IBM表示他们的2nm工艺在同样的电力消耗下，其性能比当前7nm高出45%，输出同样性能则减少75%的功耗。

IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈，高度75nm，宽度40nm，栅极长12nm，纳米片高度5nm--里面没有一个参数是2nm的，因为2nm的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。

在台积电的2nm工艺还在研发阶段没有公布技术细节的情况下，IBM这次在美国的实验室率先推出了2nm技术是很有象征意义的，美国现在也在努力夺回半导体工艺带头地位，IBM的2nm工艺给了信心。根据IBM的说法，2nm工艺预计在2024年量产，这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。