(中国，上海—2017年6月9日)6月9日，全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号：1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)的2017年度技术论坛首次登陆成都，与超过200位客户、合作伙伴、业界专家学者、媒体和分析师共同探讨了万物互联时代下，半导体产业的机遇与挑战。公司管理层现场分享了华虹宏力的市场战略布局和技术发展规划;技术专家则详细介绍了公司最新的技术成果及应用热点。

今年技术论坛的主题为“‘智’造‘芯’未来”。上海华虹(集团)有限公司(“华虹集团”)董事长、上海市集成电路行业协会会长张素心先生首先致欢迎辞。他简要介绍了集团总体发展情况以及取得的成绩，并特别感谢了社会各界朋友的一路支持与陪伴。他表示，自承担建设国家“909”工程以来，华虹集团已建成200mm和300mm两大制造平台和国家级集成电路研发中心，芯片产品广泛应用于电子信息产业各领域。今后，华虹将一如既往知难而进，奋发图强;不忘初心，砥砺前行，立足自主可控做大做强集成电路制造业，当好我国集成电路产业的先行者和主力军。

随后，华虹宏力执行副总裁范恒先生聚焦发展和变化中的全球半导体产业，从新技术、新应用和新趋势入手，向与会者描绘了公司未来的战略布局与发展目标。他总结道，作为大中华区最受认可的晶圆代工企业，华虹宏力将保持在嵌入式非易失性存储器(eNVM)、功率器件及电源管理技术等领域优势的基础上，放眼全球市场，积极布局微控制器(MCU)、新能源汽车和物联网等领域，以高技术和高成长作为企业发展定位。

华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士展望了公司技术发展路线图。他提到，随着90纳米嵌入式NVM技术的成功开发，我们会将越来越多的智能卡产品持续导入至90纳米。公司还将继续开发包括射频绝缘体上硅(SOI)器件在内的射频相关技术，以满足持续增长的智能手机的市场需求以及未来5G蜂窝通信的发展及应用。华虹宏力将进一步优化具有优势的差异化技术，为不同客户提供高效及高性价比的增值解决方案。

同时，华虹宏力技术团队在技术论坛上发表了精彩的专题演讲，内容涵盖SONOS嵌入式闪存和EEPROM工艺、浮栅型嵌入式闪存及EEPROM工艺、硅基射频工艺、功率器件工艺、电源管理IC工艺以及设计服务与IP支持，向来宾们全方位展示了华虹宏力特色工艺技术的最新发展与成果。

最后，华虹宏力执行副总裁徐伟先生致闭幕辞。他总结说，最近几个季度，华虹宏力的销售收入屡创历史新高。他感谢所有客户和合作伙伴长期以来对华虹宏力的信任和支持，表示华虹宏力将始终秉持创新理念，坚持匠心品质，践行“革新、进取、自信、团结”的企业精神，愿与各界朋友携手，推动产业成长，共同智造“芯”未来。

此外，还有17家特邀合作伙伴在技术论坛上展示了他们的IP、IC设计服务、EDA工具、光罩制造等产品和服务。大会圆满举行，会场座无虚席。

论坛技术亮点一：

嵌入式存储器持续加持

华虹宏力已在智能卡和物联网方面耕耘多年，拥有世界领先的嵌入式非易失性存储器技术。公司有SONOSFlash和SuperFlash技术，以及eFlash+高压和eFlash+射频(RF)两个衍生工艺平台，技术节点涵盖0.18微米到90纳米。同时还可为客户提供高性能、高密度的标准单元库，并可根据不同需求为客户定制高速度、低功耗、超低静态功耗的嵌入式闪存IP、嵌入式电可擦可编程只读存储器(EEPROM)IP，可帮助客户减小低功耗设计难度，抢占市场先机。目前，华虹宏力已成为世界第一大智能卡IC代工厂，采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分别通过了EMVCo、CCEAL5+、万事达CQM认证等多项国际权威认证，证明了华虹宏力的金融IC卡芯片工艺及安全管理系统已达到国际先进水平，并获得全球认可。随着90纳米eNVM工艺的成功量产，目前，智能卡产品已经逐步导入90纳米平台。

应对迅速发展的微控制器市场，华虹宏力拥有高端MCU所用的先进eFlash/eEEPROM处理平台，以及入门级MCU所用的高性价比嵌入式一次性可编程(OTP)/多次可编程(MTP)处理平台，以响应物联网、云计算、大数据、智慧城市及虚拟现实(VR)等新应用不断增长的市场需求。此外，华虹宏力有一套专为物联网打造的0.11微米超低漏电(ULL)嵌入式eFlash及eEEPROM工艺平台，还可将eNVM技术与CMOS射频集成及/或高压技术结合，极大增加了可用MCU解决方案的数量。

公司对其已量产的具成本效益的0.18微米OTP/MTP技术平台进一步升级至90纳米。该技术拥有业内最低的光罩层数、面积较小的IP模块且读写速度更快及功耗更低，为客户提供更具成本效益且可用于多种应用的微控制器解决方案。此外，其也为使用现有0.35微米技术平台的传统产品提供了升级途径。

论坛技术亮点二：

功率器件潜力无限

当前，节能减排与绿色制造的要求渐长，功率器件的应用范围已从传统的工业控制和4C产业(计算机、通信、消费类电子产品和汽车)，扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域，而高效能的功率半导体器件是降低功耗、提高效率的关键。华虹宏力在生产功率器件方面拥有15年的良好往绩，更是业内首个拥有深沟槽超级结(DeepTrenchSuperJunction，DT-SJ)及场截止型IGBT(FieldStop，FSIGBT)工艺平台的200mm代工厂。我们致力于为客户提供更高端的分立器件技术解决方案，并已推出第三代DT-SJ工艺平台，技术参数达业界一流水平，可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。IGBT被誉为“功率半导体皇冠”，华虹宏力作为国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂，为绿色能源应用提供从低功率到高功率的全系列解决方案。目前，华虹宏力的功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。

论坛技术亮点三

射频技术助力未来通讯

移动互联网和无线通讯技术蓬勃发展，射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用也愈发广泛。射频SOI工艺非常适合用于智能手机以及智能家居、可穿戴设备等智能硬件所需的射频前端芯片。公司推出了0.2微米射频SOI工艺设计套件(PDK)。该设计套件有助于客户提高设计流程的效率及输出优质的射频组件，从而减少设计改版及缩短产品推出市场的时间。我们将继续开发射频相关技术，如0.13微米射频SOI，以应对智能手机出货量的持续增长及未来5G蜂窝通信的发展及应用。

此外，华虹宏力还可提供一系列高性能且具备成本效益的射频解决方案，包括射频CMOS，高阻硅IPD(集成无源器件)以及配备射频PDK的嵌入式闪存工艺平台。

论坛技术亮点四：

电源管理IC需求多样化

随着产业对绿色、节能和效率需求的日益增强，出色的电源管理IC(PMIC)技术显得尤为重要。华虹宏力作为中国出货量最大的LED驱动IC代工厂，已引入全面电源管理IC解决方案，可提供久经验证的CMOS模拟和更高集成度的BCD/CDMOS工艺平台。其技术涵盖1微米到0.13微米，电压范围覆盖1.8伏到700伏，性能卓越、质量可靠，可广泛应用于PMIC、快速充电(FastCharge)、手机/平板电脑PMU以及智能电表等产品领域。

华虹宏力超高压700VBCD技术迎合了节能环保热点，此工艺平台所支持的高压小电流LED照明驱动应用市场发展前景十分广阔。基于700VLDMOS工艺的开关型LED驱动所用的超高压结型场效应晶体管(JFET)也已成功开发。我们正加紧研发一种增强型700VBCD技术，以使其适合更多的应用，进一步提高其竞争力。此外，华虹宏力的CZ6模拟系列平台，在业内有着广泛知名度，更是以稳定可靠的质量而著称。展望未来，我们将拓展先进的电源管理平台，为客户提供一整套具成本效益的解决方案。

活动合影