半导体研究机构ICinsights指出，全球记忆体下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM与NAND快闪记忆体均是如此。

尽管涨势减缓，但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录，这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。以DRAM为例，DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%，此为1993年有纪录以来之最。

记忆体价格从去年第三季起涨，ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季，第四季可能微幅转负，为这波正向循环划下休止符。

ICinsights指出，随着价格走扬，记忆体制造商也再次增加资本投资，但多数不是扩充产能，而是开发更先进技术，如今年有关于快产记忆体的投资，几乎全数投入3DNAND技术的开发。

一路狂飙的NANDFlash和DRAM

从去年以来，有关存储涨价和缺货的消息一直不绝于耳。导致存储器市场出现这种乱象的原因是供需失衡，一方面是应用需求不断增长，另一方面是存储器处于寡头时代，供应不足。

随着DRAM先进工艺制程的发展，DRAM产业应用范围越来越广。从主流应用PC端、手机等消费电子，发展到现阶段又开启了新一代应用包括服务器、云端、物联网、车联网、人工智能等，可以说当前DRAM产业已经进入多元化应用。而这些多元化应用都将带动存储器需求，尤其当前堪称万亿级市场的物联网与5G通信对存储器需求量会更大。因而，DRAM或将面临产能不足、长期供不应求的局面。

其次，与广泛的应用领域形成鲜明对比的是，存储器产业的高度集中。根据TrendForce的数据，截至2016年三季度，全球DRAM市场份额分布为三星（50.2%）、海力士（24.8%）、美光（18.5%）、南亚（3.1%）、华邦电子（1.7%）、力晶科技（0.6%）、其他（1.2%）。内存模组厂商包括金士顿、美光等，金士顿是全球第一大内存模组厂商，2015年市占率高达68%。可以说，全球主要DRAM产能仅由几间厂家垄断提供，寡头竞争格局尤为突出，这直接导致全球范围内的持续缺货。

ICInsights表示，DRAM价格自2016年中以来快速走高。根据统计，DRAM平均售价已自2016年4月的2.41美元，大幅攀高到2017年2月的3.7美元，涨幅高达至54%。

NANDFlash同样有这种现象。2017上半年NANDFlash价格持续走高，4月份价格行情走到高点，据中国闪存市场ChinaFlashMarket综合价格指数显示，NANDFlash价格累计涨幅达26%，消费类每GB销售价格突破了0.3美金。

5月中国市场智能型手机、平板等消费类产品需求下滑，再加上NANDFlash价格持续走高，高价压力下的SSD市场需求低迷，NANDFlash综合价格指数下滑3.4%。不过，6月市场迎旺季需求，市场买气有所回升，另一方面Flash原厂64层/72层3DNAND要等到Q3才能够释放出来，带动NANDFlash价格再次拉涨，涨幅2.2%。

连快要被媒体遗忘的NorFlash也睽违四年多来首次涨价，首季调涨5~7%不等。

可以看出，似乎一个属于存储的春天到来。

谨防产能爬坡带来的价格崩塌

现在的存储缺货成为普遍现象，而供应商们全都挣得盘满钵满。看到这个庞大需求市场的持续红利输出，很多企业都在加码这个领域，但我们要看到背后的风险。

在上个世纪90年代，也有过一段存储的涨价潮，然后很多企业都投入了更多的产线来提高产能。甚至有些之前不是做这个的企业看到有利可图，专门涉足这个行业。最后导致了存储产业的崩盘。因此我们要看到这种风险的存在。

不过有一点跟以往不同的是。这次的缺货和涨价现象，是因为新技术没完善，旧产线被逐渐淘汰造成的。而大部分先进企业做的就是加快投资新技术，推动产品供应压力缓解，而不是盲目地扩充落后的产线，这种眼光值得学习，相信也不会出现之前的那种价格雪崩现象。

但我们要看到，中国长江存储现在拥有很雄伟的目标，如果他们的产品如期到来，会否对产业造成冲击呢？这就需要长江存储的领导人有高瞻远瞩的思维。