市场原担心存储器价格涨势已到高峰，但近期多家外资同声出具报告喊多，强调存储器供应不求，到明年都还不会纾解，预料产业景气可旺到明年，而韩国存储器也传出缺工，都使存储器缺货短期难解。

外电近期引用摩根士丹利分析师出具的报告，强调拜会运算端客户后发现，存储器短缺情况好转，但市场仍然畅旺，尤期云端客户仍持续缺货，供给会一路吃紧到明年，第四季行动式DRAM价格将续涨。

此外，目前的DRAM和储存型快闪存储器（NANDFlash）现货价走势持平，也是高于合约价，都让合约价还有调涨空间。大摩看好美光具有优势。主因美光的NANDFlash成本结构大幅改善，未来还会继续降低。

多位分析师参加在美国加州举行的快闪存储器峰会，也注意到NAND持续短缺。他们发现，尽管多家厂商提高资本支出，但因技术难度升高，NANDFlash供给仍吃紧。业者增加的资本支出主要用于增加晶圆层数，而非扩充晶圆产能，预估NANDFlash供不应求情况会延续到2018年。

韩国存储器也传出缺工，供给拉警报。根据韩媒报导，三星电子、SK海力士碍于韩国新颁布的学生不得加班法令，满手订单却陷入缺工困境，正急着大举招募新人帮手。