存储器作为信息存储的载体，广泛应用于手机、平板、PC及各类智能终端产品中，在半导体产品当中占有举足轻重的地位。而该市场今年以来最重要的一个关键词就是缺货涨价，由缺货导致的涨价已经困扰了存储器芯片市场许久，甚至下游的智能手机产品也受到波及随之提价。

不过这一情况或许会在不久的将来得到缓解，市场龙头企业三星已宣布扩建西安生产线，且东芝芯片业务出售案也终于尘埃落定，这些或成为处于“涨涨涨”状态的存储器市场归于平静的加速者。为何说三星和东芝此番动作或有非凡意义呢？我们先来看看存储器芯片的构成和主要玩家，以便看清三星和东芝在该市场的地位和影响力。

DRAM、NANDFlash、NorFlash是主流的存储器产品，DRAM属于断电后存储器内的信息就流失的易失性类，该市场基本被三星、SK海力士和美光所垄断；NANDFlash、NorFlash属于断电后存储器内信息还会存在的非易失性类，其中NANDFlash也是一个高度垄断的市场，三星、SK海力士、东芝、美光、闪迪（被西部数据收购）、英特尔六家公司几乎瓜分了该市场；相对来说，市场较小的NorFlash分散度大一点。

三星和东芝作为存储器市场上数一数二的厂商，此番一家扩产一家出售业务，后续将对于市场产生的作用是非常值得期待的，尤其东芝芯片业务的出售对象包括已经拿下了闪迪的西部数据。

“壕”三星70亿美元扩产西安厂

近日，三星宣布计划未来三年投资70亿美元（约为463亿元人民币）扩大旗下中国西安工厂的NANDFlash芯片产能。公司在文件中表示，这笔预期投资中的23亿美元已在周一获得管理委员会的批准。另外，报道称新建生产线将全部用于制造V-NAND（垂直闪存）。

据了解，三星于2012年宣布在西安建设闪存芯片工厂，一期投资70亿美元，2014年建成生产线，目前开工率100%。此外，三星（中国）半导体有限公司2013年和2015年曾先后两次增资扩股，投资总额增加至105亿美元，注册资本增加至35亿美元，增资部分则是用于12英寸闪存芯片扩产。

三星在存储器芯片领域毋庸置疑是领跑者，今年第二季更是凭借其在存储器芯片领域的深厚功底超越英特尔正式成为全球最大芯片制造商。作为存储器芯片涨价的获益者，三星旗下半导体业务在第二季实现158亿美元营收和72亿美元盈利，超越了英特尔148亿美元营收和38亿美元盈利，英特尔保持了24年的世界第一位置宣告易主，而这其中最大的“功臣”就是存储器芯片。

中国是消费电子大国，个人所拥有的终端产品数量将随国民生活水平提升而增加，对于半导体芯片的需求巨大，众多国际大厂纷纷选择到中国建厂以便获得竞争优势。而三星此次扩充产能或将对正努力实现自主替代的国内存储器芯片厂商造成压力。

东芝芯片业务能否顺利“嫁”西部数据？

说完了在NANDFlash芯片占据第一名的三星，我们来说说第二名东芝。不同于三星的风光，东芝这几年过的并不称心如意，由于投资美国西屋电气失利，迫使东芝不得不出售旗下优质资产闪存芯片业务用来自救。但此次出售也是一波三折剧情相当的“反套路”，最终花落西部数据所在财团不知让多少关注者意外。

自东芝打算出售闪存芯片业务以来，西部数据就是很活跃的竞购方，早前东芝曾计划将芯片业务出售给SK海力士所在的“日美韩联盟”时，西部数据还曾发出过反对声音，双方因出售案发生的分歧之大甚至已诉诸法院。此外，东芝8月初还因未能达成一致而独自投资芯片业务建设生产线。没想到剧情峰回路转，东芝与西部数据所在的财团达成协议，将以174亿美元价格出售芯片业务。据悉，除西部数据外，日本开发银行、日本产业革新机构、美国私募股权投资公司KKR都是此次收购联合体的成员。

出售案结局看似已定，西部数据所在财团如愿获得东芝芯片业务，但消息人士透露，双方目前还有许多分歧待解决，且还要考虑到中国《反垄断法》的影响，否则可能会拉长审查时间。如去年东芝向佳能出售医疗系统公司时，中国方面的审查花了9个月，日本公平交易委员会的审查时间则是3个月，而此次涉及到半导体业务的出售案审查想必非常严格。此外，还有消息称美国私募股权公司贝恩资本领衔的财团为东芝芯片业务开出了182亿美元的竞购价，而这其中还包含了苹果公司部分。

西部数据在此之前已经拿下了闪存领域的重量级厂商闪迪，此次所在财团与东芝达成协议，在闪存芯片和固态硬盘崛起的当下，将成为西部数据守住自己硬盘之王地位的有利条件，只是不知道能否抢过出价更高的贝恩资本领衔的财团。

进击的兆易创新获大基金支持

在了解了闪存芯片两大王者的动态之后，将目光转到国内，NorFlash市场主导者之一、国内存储器中坚力量兆易创新近日发布公告，表示收到股东启迪中海、盈富泰克通知，二者与大基金签署了《股份转让协议》，转让占公司股份总数11%的股份给后者。

据悉，兆易创新成立于2005年，旗下产品包括NorFlash、NANDFlash及MCU，可用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等多个领域。

兆易创新是为数不多在NorFlash芯片领域具有领先地位的国内企业。根据公司近日发布的财报显示，报告期内兆易创新实现9.39亿元营业收入，同比增长43.29%；净利润1.79亿元，同比增长99.59%。为适应市场应用需求，公司上半年继续加大研发投入丰富产品线。针对物联网市场推出了超低功耗的NorFlash产品，并且持续推进先进工艺技术，保持业界领先地位稳步推进45nmNorFlash产品研发。NANDFlash方面在原来基础上，调试优化24nm技术产品并取得显著进展为后续发展做好技术储备。此外，还持续打造MCU产品线竞争力，加大扩展市场占用率并加强在各个阶层应用的覆盖率。

对于大基金收购兆易创新股份的目的，公告亦有提及，表示是为发挥大基金支持国家集成电路产业发展的引导作用，支持其成为国际领先的存储芯片和MCU设计公司，进一步提升其研发能力和技术水平，推动兆易创新产品的产业化应用，形成良性自我发展能力，带动国家存储产业的整体发展，同时为大基金出资人创造良好回报。

征夺市场中国有三大力量

兆易创新在整个存储器芯片领域地位赶不上三星和东芝，但在垄断程度没有那么高的NorFlash市场上，亦是有一定的行业影响力，尤其是美光和赛普拉斯都打算淡出这个市场后。那么在我国大力发展半导体产业尤其是存储器的当下，闪存芯片冠亚军三星、东芝加上NorFlash领军者之一兆易创新此番的扩产、出售、股权转让等行为受到关注，进一步体现了存储器芯片对于产业链上下游发展的影响力。正如在智能手机时代，我们已通过不同存储规格手机定价差异之大了解到存储器芯片之重要。在物联网时代，联网设备数量激增将造就海量信息存储需求，将为存储器开拓出更为广阔的应用市场。那么，在DRAM和NANDFlash等市场中国厂商准备的怎么样了？

据悉，目前我国已有了长江存储、福建晋华和合肥长鑫等三大存储器势力，其中长江存储前身是武汉新芯，一期工程是就32层3DNANDFlash展开的，计划2018年实现量产2019年达成产能满载。此外，盛传该公司组建了20/18nmDRAM技术开发团队。福建晋华项目是国家重点支持的DRAM存储器生产项目，由联电协助其开发相关制程技术，开发的技术应用在利基型DRAM生产上，预计将在2018年开始试产。合肥长鑫投资72亿美元，打造的12寸存储晶圆厂将以19nmDRAM产品为主，计划在2019年年底实现12.5万片月产能。

近些年我国一直通过政策、资金等方面建设半导体产业，以实现自主替代摆脱“缺芯之痛”。在这条路上我们已经走出了很远，已拥有兆易创新这样在NorFlash市场占有一席之地的企业，更是在全力开启DRAM和NANDFlash市场大门。相信在上下一心的建设下，“中国芯”必有出头之日。