存储器大厂美光科技（Micron）昨（27）日召开2017年会计年度第4季（2017年6月至8月）法说会，非一般公认会计准财（Non-GAAP）每股稀释盈余2.02美元，优于市场预期，美光在北京时间27日晚上开盘后，截至11点为止大涨了7.9%。

美光执行长SanjayMehrotra在法说会中亦明白表示，今年底前DRAM及NANDFlash都将呈现供不应求的缺货状态。

受惠于DRAM及NANDFlash价量齐扬，美光2017年会计年度第4季的Non-GAAP财报大幅超标，营收季增10%达61.38亿美元，较去年同期大增约91%，平均毛利率冲上51%，税后净利季增26%达23.86亿美元，与去年同期亏损情况相较不仅由亏转盈，获利还大幅超越市场预期，单季每股稀释盈余2.02美元。

美光对于2018年会计年度第1季（2017年9月至11月）的展望同样明显优于市场预期。营收预估介于61～65亿美元之间，优于市场普遍预估的60.6亿美元，平均毛利率介于50～54%，营业利益预估介于26.5～28.5亿美元之间，每股稀释盈余预估介于2.09～2.23美元之间，优于市场普遍预估的1.85美元。

美光执行长SanjayMehrotra在法说会中表示，美光1x纳米DRAM、64层3DNAND的生产计划顺利进行，预估今年底前良率可达成熟稳定阶段。由产业来看，今年DRAM市场位元成长率仅20%，NANDFlash位元成长率仅30～40%之间，均低于市场需求成长幅度，所以预期至今年底前，DRAM及NANDFlash都将供不应求，而且良性的产业基本面会延续到明年。

SanjayMehrotra也对2018年存储器市场提出看法，其中DRAM产业位元成长率仍然只在20%左右，在云端运算等需求维持强劲情况下，将维持健康的供需平衡状态。至于NANDFlash在各家业者的3DNAND产能陆续开出下，位元成长率将提升到50%左右，可望满足目前的市场供给缺口。

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）昨日表示，2017年NANDFlash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动，加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自2016年第3季起已持续6个季度。2018年NANDFlash位元供给端将增加42.9%，需求端将成长37.7%，整体供需状况将由2017年的供不应求转为供需平衡。