昨日，总投资240亿美元的国家存储器基地项目一期工程一号生产及动力厂房提前1个月封顶。项目预计明年投产，年产值将超100亿美元。

项目位于光谷东部武汉未来科技城，占地面积1968亩，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。按照规划，基地将崛起3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlash生产厂房。其核心厂房和设备，每平方米投资强度超过3万美元。

紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国在现场表示，该项目实现了中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

研发人员介绍，无论智能手机、电脑、还是云计算应用，都需要海量数据存储，相比2D闪存，3DNAND立体堆叠存储技术相当于立体停车场，性能更强，功耗更低，可靠性更高。

提前封顶的核心厂房，建筑面积52.4万平方米。达产后，单月总产能将达到30万片，年产值超过100亿美元。从去年12月30日开工建设到提前封顶，只用了9个月。

2015年，发展存储器上升为国家战略。武汉东湖高新区为国家存储器基地项目规划建设1100亩配套产业园区，以及1500亩国际社区用地，加快引进产业链顶级配套企业及国际化人才，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。