随着全球信息化浪潮的不断涌起，智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下，其上游存储器芯片产业再遇爆发期，作为生产、消费大国的中国，自然首当其冲，成为存储器芯片大战的主战场。在中国存储器芯片市场风云迭起的同时，“搅局者”的出现正缓缓改变着战场的局势……

美日韩的垄断之势

在全球半导体市场日益扩张的趋势下，芯片市场供不应求之势越发明显，这其中又以存储器市场为最。据统计，2016全球存储器市场容量约800亿美元左右，约占半导体市场的23%，是仅次于逻辑电路的第二大产品。

以目前市场来看，存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类。其中2016年DARM市场容量约414亿美元，NANDFlash约346亿美元。在DRAM方面，全球DRAM价格持续七个季度高涨，是历来涨势最久的一次，据业界人士预测，此涨势将持续至2018年第二季度。在NAND Flash方面，全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象，且3DNAND在SSD产品上的应用也日趋增多，至此闪存市场供应得到缓解。

而在供应短缺以及高增长的背后，垄断之势也越发明显。据数据调查显示，仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝半导体等五家美日韩半导体企业，几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。

以三星电子为例，据业界人士预估，在三星今年260亿美元半导体资金中，3DNAND Flash约为140亿美元，DRAM约为70亿美元。面对如此“诱人”的存储器市场，三星电子完全无法忍住诱惑。据消息透漏，三星电子计划于2018年将DRAM价格上调5%左右，并且会加大3DNAND Flash技术研发的投入。而且，随着智能手机、人工智能以及物联网需求的增加，3DNAND Flash将得到长足发展。在这种趋势下，中国也开始了布局。

紫光国际“搅局”破势而出

事实上，在全球存储器市场需求的不断驱动下，中国存储器市场的起色也很明显。为了打破美日韩企业的垄断之势，中国芯片企业并未放弃对半导体的研究。而且随着半导体制程技术的不断衍进，存储器芯片研发难度随之加大，加之3DNAND技术的出现，都为国产存储器厂商弯道超车提供了机会。

2016年，在三星电子、SK海力士、英特尔、美光以及东芝等存储器厂商开始量产32层3DNAND Flash的时候，国内存储器厂商才开始布局，错失良机的国内存储器厂商急忙与政府合作，投资建立“国产存储器基地”，建设3座全球单座洁净面积较大的3DNAND Flash FAB厂房以供3DNAND Flash研发与生产。在这场全球3DNAND Flash市场之战中，紫光国际首先“举旗”，长江存储、武汉新芯以及中国科学院微电子研究所紧随其后，互相配合共同研发3DNAND Flash技术。

2017年11月中旬，长江存储已经成功研发出32层3DNAND Flash芯片，预计将于2018年实现量产。目前，紫光国际与长江存储已经在研究64层3DNAND Flash技术，预计将于2019年实现量产。

机遇与挑战并存

当然，弯道超车依旧困难重重。从国内存储器厂商的发展情况来看，主要面临的机遇有以下四点：

其一，全球存储器芯片价格持续走高、市场供不应求的趋势；

其二，智能手机、人工智能以及物联网等科技的不断发展，导致存储器芯片的需求也随之增加；

其三，全球存储器技术突破的趋势减缓，各项技术的不断成熟；

其四，政策的不断出台，政企联合之势扩大。

在机遇存在的同时，国内存储器厂商所面临的挑战也不可谓不小，主要体现在以下三方面：

其一，国内存储器技术人才匮乏，导致技术研发速度过慢；

其二，原材料价格的不断上涨，导致投入过高；

其三，存储器增长过快，产能过剩的风险随时将至。

小结：

从国内存储器市场的趋势来看，紫光国际以及长江存储已成为“搅局者”，于国内存储器产业而言，将是一把利剑，也是打破美日韩垄断国内存储器市场的希望。可以预料的是，随着国内3DNAND Flash技术的不断突破与成熟，加之DRAM产量的不断提升，未来与五大存储器巨头的差距将越来越小。