5月11日消息，晶圆代工大厂联电董事长洪嘉聪表示，新冠肺炎疫情衍生许多新的工作型态与市场需求，包括人工智能(AI)、先进制造、5G通讯、量子讯息科技等，将是新时代下半导体科技运用的趋势。联电将持续强化公司竞争优势，掌握后疫情的新需求及创新服务，在经营策略上维持既定的兼顾财务体质改善及持续成长。法人看好联电今年营收及获利将同步创下新高纪录。

洪嘉聪在营运报告书中指出，去年新冠肺炎疫情肆虐全球，经济受到重大冲击，更颠覆了人们的生活型态。联电面对此动荡局势，经营团队配合政府政策进行超前部署，与全体同仁正面迎击疫情，共同努力维持正常营运，且能稳定成长。

洪嘉聪表示，联电自从调整经营策略后，转型为专注特殊技术的先者，并从强化财务结构、具成本竞争力的产能扩充及调整产品组合着手。检视目前成效，在策略定位、技术及产能、良率、获利与永续经营各方面都有亮丽的表现。

联电去年在先进制程平台推出14nm14FFC制程、22nm超低功耗22ULP及超低漏电流22ULL制程、28nm高效能运算28HPC+制程等均已进入量产，并采用28HPC+制程量产影像讯号处理器(ISP)且今年导入更先进的高阶产品。联电亦针对毫米波(mmWave)制程完成55/40/28nm平台，可应用在行动装置、物联网、5G通讯、车用电子及工业雷达。

在特殊制程技术部，洪嘉聪表示，联电28nm高压制程是晶圆代工业界第一个先开发并量产OLED面板驱动IC，22nm高压22eHV制程研发进度符合预期指针。射频绝缘半导体(RFSOI)技术可满足所有4G/5G手机对射频开关的严格要求，目前90nm制程已进入量产，55nm制程即将导入量产，同时已着手开发40nmRFSOI技术平台，以衔接后续5G及mmWave成长动能。

此外，联电嵌入式闪存(eFlash)制程的40nm导入量产，28nm研发符合预期，将可供应物联网需求。40nm电阻式随机存取内存(ReRAM)已经进入量产，22nmReRAM技术平台和22nm嵌入式磁阻随机存取内存(eMRAM)制程平台研发业已如期进行中，可应用于人工智能物联网(AIoT)相关产品。联电也积极投入氮化镓(GaN)功率组件与微波组件平台开发，藉以布局高效能电源功率组件与5G微波组件市场。