概述 

CMB073N15是场效应半导体(Cmos)开发的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重优势于一体的功率MOSFET，已成为电力电子、汽车电子、工业控制、可再生能源领域的理想选择。

一、封装形式

下面是CMB073N15的封装形式和内部拓扑图，提供了TO-220、TO-263、TO-262、TO-220F四种封装，极大地丰富了用户之选择，并且可提供定制化封装。

二、基础参数

CMB073N15是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用先进的栅裂工艺技术，专为高能效、高功率密度应用设计。其关键参数包括： 

电压等级：150V

持续漏极电流：160A（@TC=25℃） 

超低导通电阻：RDS(on) = 7mΩMax（@VGS=10V） 

优化开关特性：低栅极电荷(Qg)与低反向恢复时间

优秀的散热能力：厚铜框架封装的TO-220、TO-263、TO-262，热阻值RθJC只有0.38℃/W,在兼顾散热的同时为PCBA的安装提供了便捷

凭借出色的电气性能和可靠性，CMB073N15成为工业、汽车及新能源领域的理想选择。

三、核心优势

核心优势 

1. 高效率与低损耗 

   超低RDS(on)显著降低导通损耗，提升系统能效，尤其在高压大电流场景中。 

   优化的开关特性减少高频应用中的开关损耗，适配PWM控制需求。 

2. 卓越的散热能力

搭配底部厚铜散热框架的TO-263、TO-262、TO-220封装，支持高效的热传导性，保障了高功率工况下的稳定运行。 

3. 高可靠性设计 

   通过IATF-16949认证，满足汽车电子严苛环境要求。 

   强抗雪崩能力（EAS=2531mJ），适应感性负载在开关瞬态形成di/dt巨大的冲击。 

4. 绿色节能 

   符合RoHS标准，助力低碳化能源系统设计。

四、应用推荐

典型应用场景推荐 

1. 工业电源与伺服驱动 

   场景价值：适用于AC-DC电源模块、工业变频器及伺服电机驱动器。 

   用户收益：低导通损耗减少了器件发热，提升电源转换效率；高频开关支持更高功率密度设计，缩小设备体积。 

2. 新能源与储能系统 

   场景价值：光伏逆变器后级、电池管理系统（BMS）及储能UPS（功率转换系统）。 

   用户收益：150V耐压覆盖48V/60V光伏逆变系统储能模块母线需求；高频开关响应优化MPPT系统（Maximum Power Point Tracking）算法效率。 

3. 电动汽车与充电设备 

   场景价值：车载充电机、DC-DC转换器及电机驱动逆变器。 

   用户收益：高电流承载能力适配电机峰值功率需求。

4. 消费类高性能设备 

   场景价值：高端无人机电调、大功率LED驱动电源。 

   用户收益：轻量化设计（低寄生参数）提升动态响应，优化终端用户体验。

五、设计建议 

驱动优化：建议栅极驱动电压VGS=10V以充分发挥低RDS(on)特性，同时可并联RC缓冲电路抑制电压尖峰。 

散热管理：推荐PCB布局中预留足够铜箔面积或添加散热器，确保结温（Tj）低于125℃（经验值）。 

EMI控制：低体二极管反向恢复特性可减少高频振铃，但仍需结合适当的栅极电阻与磁屏蔽设计。