2025年7月11日-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会”（ICDIA 创芯展）在苏州成功召开。大会期间，由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。

“强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用，在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品，为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型，以此深度挖掘中国芯领先产品，共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台，对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。

士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 （1200V  7mΩ，TO-247Plus-4L）是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工艺技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)(typ.)=5.5mΩ）、传导损耗和开关损耗，具有较高的功率密度，能提供最佳的热性能。

士兰微“一体化”战略

近年来，士兰微电子深入实施“一体化”战略，通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度，公司总体营收保持了较快的增长势头。同时，公司非常重视SiC产品的开发和应用。

在碳化硅产品方面，士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵，全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域，在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付，备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。

在碳化硅产能建设方面，2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产，这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来，士兰微将依托技术与产能的双重升级，为客户提供更高品质，更多元化的碳化硅产品，持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。

厦门士兰集宏半导体有限公司（士兰8吋SiC晶圆生产线）