据了解，碳化硅和氮化硅均属于第三代宽禁带半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力等特点。

目前，碳化硅等第三代半导体是功率半导体的一个投资重点方向。《中国制造2025》中四次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件，国家大基金也把半导体材料列为了重点投资方向之一。

近日，多个企业为加紧布局和完善第三代半导体材料领域，也有了最新动作和进展。

露笑科技投建第三代半导体材料项目

4月12日，露笑科技股份有限公司（以下简称“露笑科技”）发布2020年度非公开发行股票预案。

公告显示，露笑科技本次非公开发行采取向特定对象非公开发行股票的方式，在获得中国证监会核准后由公司在中国证监会规定的有效期内选择适当时机向不超过35名特定对象发行。

按2019年12月31日股本测算，露笑科技本次非公开发行股份总数不超过453,200,530股（含453,530股），非公开发行股票募集资金总额不超过100,000万元，扣除发行费用后将用于“新建碳化硅衬底片产业化项目”、“碳化硅研发中心项目”和“偿还银行贷款”项目。

Source：露笑科技

其中新建碳化硅衬底片产业化项目总投资金额为69,456万元，本次拟使用募集资金投入65,000万元，该项目建设期24个月，拟生产碳化硅衬底片等产品，项目产品具有尺寸大、更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

碳化硅研发中心项目总投资金额为5,010万元人民币，其中拟使用募集资金投入5,000万元，由露笑科技股份有限公司的全资子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司组织实施，本项目项目建设期为24个月。该项目主要建设内容为研发场地改造及装修工程、引进行业内高水平研发人才以及购置与公司业务发展相适应的研发设备及软件。

露笑科技表示，新建碳化硅衬底片产业化项目对于满足国内外快速增长的4英寸、6英寸及以上尺寸级别的碳化硅衬底片市场需求，促进衬底片质量与成品率水平的提升将发挥较为重要作用用。而通过碳化硅研发中心的建设，将加强公司在碳化硅方面的基础研究以及新产品开发能力，有利于提高产品附加值，增强公司核心竞争力。

耐威科技投建GaN微波及功率器件生产线

在露笑科技公告的前一天（4月11日），北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）公布公告称，为了进一步完善GaN业务的全产业链布局，把握产业发展机遇，逐步形成自主可控的生产制造能力，尽快拓展相关材料与器件在5G通信、物联网、数据中心、新型电源等领域的推广应用，公司拟投资设立全资子公司。

公告显示，耐威科技此次拟新设公司名称为北京聚能海芯半导体有限公司（以下简称“聚能海芯”，暂定名，具体以工商核名为准），注册资本1亿元，以此作为项目公司，组织资源投资建设自主GaN微波及功率器件生产线。

据披露，该新设公司将经营半导体器件、集成电路的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；委托加工制造半导体器件；产品设计；销售电子产品等业务。不过，耐威科技表示，以上信息均以工商行政管理机关最终核定的信息为准。

资料显示，耐威科技成立于2008年，以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，一方面大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、第三代半导体材料和器件等潜力业务，主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、导航系统及器件、航空电子系统等，应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子、航空航天、智能交通等。

博方嘉芯氮化镓项目在嘉兴南湖桩基开工

4月10日，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司氮化镓射频及功率器件项目正式开工。

该项目于2019年11月7日签约落地，总投资25亿元，占地111.35亩，总建筑面积约8.9万平方米，项目分两期实施，其中一期建筑面积约5万平方米，建设6吋（兼容4吋）晶圆氮化镓（GaN）芯片生产线，设计月产能为1000片。

二期建筑面积约3.9万平方米，建设6吋（兼容4吋）GaN芯片生产线和外延片生产线，设计月产能为3000片GaN射频芯片、月产能20000片GaN功率芯片。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上，年税收6600万元以上。

据施工方项目相关负责人表示，项目在今年3月30号动工以后，施工方进行了场地平整、放线定位等工作，今天进入到桩基开工阶段。第一期工程建设周期是16个月，到明年7月1日完工。