台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵来势汹汹，日本Rapidus喊话目标在1奈米的时候，只落后台积电半年；三星也打算启用「叉型片Forks heet」技术，在相同的空间塞入更多电晶体，预计在2030年之前完成1奈米制程的研发。

综合外媒报导，三星晶圆代工部门目标在2030年以前完成1奈米制程研发，并进入量产阶段，由于1奈米制程的电晶体密度是2奈米的两倍，三星打算从现行的环绕式闸极（GAA）架构转入叉型片（Forks heet）结构。

三星打算在奈米片之间加入绝缘层，提升电晶体的密度，进而达成改善功耗与效能的目标。三星的2奈米制程进入量产阶段后，已经拿到特斯拉AI6晶片的订单，受到市场高度关注。

日本Rapidus也以台积电为目标提升技术，技术长石丸一成受访时表示，目标在1奈米制程的时候，落后台积电的时间缩小至半年左右。目前Rapidus预计在今年年底为客户试生产2奈米晶片，预计2027年量产。

衔接2奈米与1奈米的1.4奈米，则预计在2026年完成开发，并预计于2029年量产。Rapidus将维持现有的研发模式，与IBM展开深度合作，约有一半的工程师在美国参与研发。

就目前状况而言，台积电仍具有一定的领先优势，2奈米已经于去年底量产，预计在今年快速爬坡，营收贡献有望超越3奈米，A14制程1.4奈米则预计在2027年底试产，2028年下半年量产，并预计在2030年之前完成1奈米的研发。