2017年10月24日，第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛（西部赛区）〔以下简称“三代半大赛（西部赛区）”〕决赛暨颁奖典礼在成都高新区菁蓉国际广场举行。颁奖典礼现场，电子科技大学研究生导师张波以《Sic/GaN功率半导体创新应用》为题带来了精彩的演讲。

电子科技大学电子薄膜与继承器件是国家重点实验室，以联盟形式推动电子科技大学整个IC发展。张波所在的功率集成技术实验室作为该联盟的核心，为大量集成的工艺器件做了改善并完善研究。当前，国内许多集成工艺平台都由功率集成技术实验室参与或搭建。

对于功率集成技术实验室取得的优秀成果，张波表示这得益于该实验室拥有工业半导体领域全球领先的团队，工业半导体的相关研究与第三代半导体有极大关系，因此研究室在此领域用以“重兵”，也希望可以推动工业半导体发展。

从研究室取得的成果来看，张波所在的团队取得了极大的研究成果，如在增强型器件领域达到电压7.6伏指标及研制出三驱动电路。但张波指出技术链和产业链有一个死亡谷，这也是张波团队一直在思考的问题。在创新应用方面，宽禁带半导体Sic和GaN目前极为热门。张波在演讲中表示，创新应用的成功还是要取决于材料，正所谓“一代材料一代器件”，材料所打造出的独特器件才能寻找新的创新应用。

除材料会对创新应用产生影响外，器件结构也起着极大的作用。张波在现场指出，器件结构下一步的重点是高点子迁移的器件，二维电子的迁移率是2000以上，意味着可以有更好的速度，并且二维电子的浓度比较高，又可以形成低功效，这样的特性使得器件能够代替现在器件的应用。因此，从应用上来看第三代半导体更适合于高频的应用。

当好的产品已经出现，应用推动就变得至关重要。就如硅的器件技术及产业已经发展的非常成熟，硅工艺上已有上万亿美元的投资，如何利用自身优势对产品进行创新应用就成为了难题。对此现象，张波指出这时就要从应用的角度出发，找到应用的痛点去改善就能取得成功。

器件的发展需要创新应用，但实际上如何用器件的特性推动器件的发展，这是一个很高的层次。张波在演讲最后也对在座的业内人士给予厚望，希望在座众多的年轻人、企业家能够在这个方向上有更好的一个思路。