V-NAND
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三星研发出新V-NAND存储器 容量1Tb
三星电子NANDFlash技术再升级，9日宣布研发出容量达1Tb(terabit)的3DNAND芯片，预计明年问世。[详细]
2017-08-10 10:52 分类：行业芯闻-
三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒 容量高达1Tb
相较于2.5寸SATA，M.2的SSD有着非常明显的体积优势，如果总线走PCIe，速度上更是完爆。[详细]
2017-08-10 09:04 分类：行业芯闻 -
三星量产64层V-NAND闪存芯片 传输速度达1Gbps
6月15日消息，三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256GbV-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。[详细]
2017-06-15 17:29 分类：行业芯闻
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