栅极
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Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET
FinFET在22nm节点的商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是，随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积[详细]
2021-01-28 13:51 分类：可编程逻辑-
将ADuM4135栅极驱动器与Microsemi APTGT75A120T1G IGBT模块配合使用
简介 绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围：直流至100kHz。IGBT可以是单一器件，甚至是半桥器件[详细]
2019-08-16 11:00 分类：行业芯闻
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