微信
投稿

片上IR压降

0
  • 背面供电,可以怎么玩?

    1、简 介 半导体技术节点中的传统尺寸缩放是通过缩放金属间距(MP)和接触多晶硅间距(CPP)来实现的。在先进的CMOS技术节点(低于10nm)中,金属半间距已扩展到非常窄的尺寸(低于20nm)。在这些金属线宽处,由于金属丝的尺[详细]

    2023-02-01 14:26 分类:设计

合作咨询:15889679808               媒体咨询:13650668942

广州地址: 广州市越秀区东风东路745号紫园商务大厦19楼

深圳地址: 广东省深圳市龙华区五和大道星河WORDC座5F506

北京地址: 北京市朝阳区小关东里10号院润宇大厦2层

慧聪电子网微信公众号
慧聪电子网微信视频号

Copyright?2000-2020 hczyw.com. All Rights Reserved
慧聪电子网    粤ICP备2021157007号